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[00141916]一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电子信息

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201210102940.2

交易方式: 技术转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

本发明公开了一种制备有机薄膜场效应晶体管的方法,将高分子聚合物和有机半导体分子的混合物溶解到有机溶剂中,形成混合溶液;然后通过电纺丝设备将混合溶液喷至在源、漏电极间的沟道中,形成有机半导体纳米纤维膜,作为有机薄膜场效应晶体管的有源层。通过电纺丝技术实现了低成本、大规模纳米尺度高效有机薄膜场效应晶体管的大规模制作。同时,该制备方法要求的环境很宽松,不需要在手套箱等无水无氧环境下实施,简化了工艺,且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力,很好的改善了有源层膜的制备方法来获得高性能的场效应晶体管。

本发明公开了一种制备有机薄膜场效应晶体管的方法,将高分子聚合物和有机半导体分子的混合物溶解到有机溶剂中,形成混合溶液;然后通过电纺丝设备将混合溶液喷至在源、漏电极间的沟道中,形成有机半导体纳米纤维膜,作为有机薄膜场效应晶体管的有源层。通过电纺丝技术实现了低成本、大规模纳米尺度高效有机薄膜场效应晶体管的大规模制作。同时,该制备方法要求的环境很宽松,不需要在手套箱等无水无氧环境下实施,简化了工艺,且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力,很好的改善了有源层膜的制备方法来获得高性能的场效应晶体管。

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