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[00142323]正装三结级联太阳电池及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 太阳能

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201310114384.5

交易方式: 技术转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

  本发明提供了一种正装三结级联太阳电池,包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池,AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了正装三结级联太阳电池的制备方法,包括步骤:1)在GaAs衬底上依次生长GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层;2)分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极,获得目标太阳电池。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配,降低了生产成本,采用正装生长方法生长、制备工艺简单,提高了电池效率。

  本发明提供了一种正装三结级联太阳电池,包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池,AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了正装三结级联太阳电池的制备方法,包括步骤:1)在GaAs衬底上依次生长GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层;2)分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极,获得目标太阳电池。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配,降低了生产成本,采用正装生长方法生长、制备工艺简单,提高了电池效率。

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