[00142642]热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310281825.0
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及探测器技术领域，尤其是热释电薄膜红外焦平面探测器芯片，其从下至上依次包括衬底、黏合层、绝热支撑结构、下电极、光敏元、上电极和红外吸收
层；所述绝热支撑结构包括：隔热层，所述隔热层包括上下交替层叠的SiO2纳米阵列和TiO2纳米阵列；形成在所述隔热层表面的过渡支撑层，所述过渡支撑
层包括从下至上依次层叠的若干层SiO2过渡结构，以及沉积在所述SiO2过渡结构表面的HfO2膜；所述过渡支撑层的孔隙率从下至上逐渐降低。本发明制
备方法简单，灵活调节控制绝热支撑结构的孔隙率，有效降低探测器芯片的热导率，在满足探测器对绝热支撑结构应力释放要求的同时提高探测器的灵敏度、稳定性
和可靠性。
本发明涉及探测器技术领域，尤其是热释电薄膜红外焦平面探测器芯片，其从下至上依次包括衬底、黏合层、绝热支撑结构、下电极、光敏元、上电极和红外吸收
层；所述绝热支撑结构包括：隔热层，所述隔热层包括上下交替层叠的SiO2纳米阵列和TiO2纳米阵列；形成在所述隔热层表面的过渡支撑层，所述过渡支撑
层包括从下至上依次层叠的若干层SiO2过渡结构，以及沉积在所述SiO2过渡结构表面的HfO2膜；所述过渡支撑层的孔隙率从下至上逐渐降低。本发明制
备方法简单，灵活调节控制绝热支撑结构的孔隙率，有效降低探测器芯片的热导率，在满足探测器对绝热支撑结构应力释放要求的同时提高探测器的灵敏度、稳定性
和可靠性。
