[00142643]激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310279168.6
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为
InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的范围是3～20，并且，本发明还公开了一种半导体
激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明提供的半导体激光器具有更低的阈值电流，较高的特征温度，可实现无制冷工作；具有较高的微分
增益，可提供TM模式激光输出；具有较大的导带带阶比，可同时实现对注入载流子进行有效的限制和载流子在阱间的均匀分布，提高激光器调制特性。
本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为
InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的范围是3～20，并且，本发明还公开了一种半导体
激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明提供的半导体激光器具有更低的阈值电流，较高的特征温度，可实现无制冷工作；具有较高的微分
增益，可提供TM模式激光输出；具有较大的导带带阶比，可同时实现对注入载流子进行有效的限制和载流子在阱间的均匀分布，提高激光器调制特性。
