[01428729]量子点植入反射式主动光栅及其制造方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种量子点植入反射式主动光栅及其制造方法,该方法利用量子点具有优良的光致发光能力,且色度选择范围宽的特点,采用压印工艺,首次将量子点埋入光栅结构中,通过结构设计及量子点种类的选择,实现量子点所发射光线与光栅反射的光线共同衍射,增强了衍射效果。本发明制作过程为：使用电子束光刻及真空熔铸法制作量子点及光栅模具,使用压印工艺制作量子点及光栅微结构图案,最终形成光栅结构。光栅周期为20nm至20um,槽宽20nm至20um,高度为20nm至20um,光栅微结构形状为圆柱、正方形、长方形、菱形或六边形以及梯形等图形,微结构边缘与铅直方向夹角可控,夹角范围在0至90度之间。