[01439151]一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法5
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面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法,用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜,下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数(TCR)的无相变氧化钒薄膜,用作红外与太赫兹波段的敏感层,上层氧化钒薄膜具有较低的相变温度,可发生半导体相-金属相的可逆相变,半导体相时与下层氧化钒薄膜一起用作红外吸收层,相变为金属相后用作太赫兹辐射吸收层。利用微桥结构的谐振可充分吸收红外辐射,调节金属相氧化钒薄膜的电导率、折射率等光电参数,又可实现对太赫兹辐射吸收的最大化。该微桥结构能够实现双波段探测与成像,制备工艺简单,与MEMS工艺兼容,具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法,用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜,下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数(TCR)的无相变氧化钒薄膜,用作红外与太赫兹波段的敏感层,上层氧化钒薄膜具有较低的相变温度,可发生半导体相-金属相的可逆相变,半导体相时与下层氧化钒薄膜一起用作红外吸收层,相变为金属相后用作太赫兹辐射吸收层。利用微桥结构的谐振可充分吸收红外辐射,调节金属相氧化钒薄膜的电导率、折射率等光电参数,又可实现对太赫兹辐射吸收的最大化。该微桥结构能够实现双波段探测与成像,制备工艺简单,与MEMS工艺兼容,具有广阔的应用前景。