X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心 | 关于我们
欢迎来到辽阳市科技创新服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[01439151]一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法5

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法,用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜,下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数(TCR)的无相变氧化钒薄膜,用作红外与太赫兹波段的敏感层,上层氧化钒薄膜具有较低的相变温度,可发生半导体相-金属相的可逆相变,半导体相时与下层氧化钒薄膜一起用作红外吸收层,相变为金属相后用作太赫兹辐射吸收层。利用微桥结构的谐振可充分吸收红外辐射,调节金属相氧化钒薄膜的电导率、折射率等光电参数,又可实现对太赫兹辐射吸收的最大化。该微桥结构能够实现双波段探测与成像,制备工艺简单,与MEMS工艺兼容,具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法,用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜,下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数(TCR)的无相变氧化钒薄膜,用作红外与太赫兹波段的敏感层,上层氧化钒薄膜具有较低的相变温度,可发生半导体相-金属相的可逆相变,半导体相时与下层氧化钒薄膜一起用作红外吸收层,相变为金属相后用作太赫兹辐射吸收层。利用微桥结构的谐振可充分吸收红外辐射,调节金属相氧化钒薄膜的电导率、折射率等光电参数,又可实现对太赫兹辐射吸收的最大化。该微桥结构能够实现双波段探测与成像,制备工艺简单,与MEMS工艺兼容,具有广阔的应用前景。

推荐服务:

主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

辽ICP备16017206号-1

辽公网安备 21100302203138号

关于我们

平台简介

联系我们

客服咨询

400-649-1633

工作日:08:30-21:00

节假日:08:30-12:00

13:30-17:30