技术详细介绍
一、项目特点和技术指标
本项目为福建省2007年重大专项成果。
项目简介：将硅太阳能电池作为发光二极管，施加正反向偏置电压，是其发射近红外光，用CCD探测，可快速检各测隐形缺陷；
项目特点：施加反向偏压和加热可检测常规EL设备检测不到的缺陷。
多晶硅太阳电池隐形缺陷的检测样图
二、技术成熟程度
成熟程度：已制成样机，拥有1件实用新型专利
三、应用领域及市场前景
适合各种电子仪表企业生产，用于硅太阳电池片的组件的生产线检测和研发。
四、投产条件和预期经济效益
项目投资：总投资在100万元以内。
五、合作方式
技术许可、技术转让或联合开发。