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[00153830]一种用碳团簇离子束制备超薄碳膜的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他化学化工

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201110370968.X

交易方式: 技术转让

联系人: 武汉大学苏州研究院

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所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

本发明提供了一种制备超薄碳膜的方法。用铯离子溅射石墨靶产生小碳团簇负离子束,在合适的真空条件下, 经减速电场后在基材表面上扫描沉积形成超薄碳膜。本装置主要由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成。离子源、扫描器、沉积靶室依次相连,处于真空系统之中。离子源产生的碳团簇负离子束, 其能量从十几KeV降低到几十或几百eV, 经扫描在衬底上形成厚度均匀的超薄碳膜。本发明利用低能团簇负离子束单个原子的低能量、剂量精确可控的优势,实现直接沉积法制备超薄碳膜。
本发明提供了一种制备超薄碳膜的方法。用铯离子溅射石墨靶产生小碳团簇负离子束,在合适的真空条件下, 经减速电场后在基材表面上扫描沉积形成超薄碳膜。本装置主要由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成。离子源、扫描器、沉积靶室依次相连,处于真空系统之中。离子源产生的碳团簇负离子束, 其能量从十几KeV降低到几十或几百eV, 经扫描在衬底上形成厚度均匀的超薄碳膜。本发明利用低能团簇负离子束单个原子的低能量、剂量精确可控的优势,实现直接沉积法制备超薄碳膜。

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