[01576585]大功率照明用LED芯片及130lm/w灯具研发及产业化

项目所属科学技术领域：电子信息及系统科学-微电子及元器件-半导体发光器件。项目主要科技内容：本产品利用COB(chip on board)技术在高热导AlN，Al<,2>O<,3>/SiC和ZnO/Bi<,2>O<,3>等纳米陶瓷散热基板上集成封装LED，形成3×3，5×5，7×7，10×10阵列大功率光源模块；并利用量子效率>90%的黄色和红色荧光粉混合形成组合荧光粉，转化蓝光形成高显色白光LED，显色性>85，制备LED芯片。此外，利用独特双对流通孔散热器和热管散热器散热，制备得到大功率LED灯具产品，灯具总热阻<0.5℃/W。电源应用嵌入式智能控制系统，驱动控制LED灯具，形成高效节能照明，总灯具在色温5700K时，效率大于130lm/W，流明成本<0.1元/lm，LED芯片防静电击穿性能佳，寿命大于60000小时。未来，进一步研发太阳能LED灯，形成光电-电光转换一体化。 技术经济指标：⑴制备高热导率AlN陶瓷基片；制备得AlN/ZnO-Bi<,2>O<,3> LED散热基板，解决静电击穿和瞬间涌流击穿问题；制备Al<,2>O<,3>/SiC纳米复合陶瓷基板，形成复合陶瓷材料SiC晶须散热网络，突破Al<,2>O<,3>陶瓷导热性能不佳难题，获得成本低，导热好陶瓷封装基板。制备ZnO-Bi<,2>O<,3> 散热基板，解决ZnO电阻率和热导率低难题。AlN基板：热导率≥170W/mK；AlN/ZnO-Bi<,2>O<,3>基板：热导率≥160W/mK，抗静电能力达3A级；Al<,2>O<,3>/SiC纳米复合陶瓷：热导率≥50W/mK；YAG:Ce 荧光粉胶片，量子效率≥90%。⑵采用COB集成封装技术制备得大功率、高显色性白光光源。突破散热限制，实现高密度封装，单光源芯片模块分别是3×3、5×5、7×7、10×10 阵列；色温5700K时，LED集成芯片效率>160lm/W。⑶采用双对流通孔散热器和热管散热器来降低LED芯片的温度，LED结温低于临界温度，LED 整灯效率达130lm/W；⑷利用高效电源智能化控制技术实现节电和延长使用寿命效果，较同类普通LED灯节电30%，产品寿命60000小时以上。⑷项目执行期内累计新增销售16871万元，创利税3516万元。推广应用情况：2012年10月公司3款LED灯具中标财政部、国家发改委、科技部《2012/2013年度半导体照明产品财政补贴推广项目》，2012年12月公司通过“中国人民解放军总装部物资供应商”资格认定，2013年1月公司有10款LED灯具被列入财政部、国家发改委第十三期《节能产品政府采购清单》。产品质量得到了政府、军队和关键客户的广泛认可。