[01704390]钼酸铜纳米棒复合电子封装材料

课题来源与背景：电子封装材料作为封装技术的重要组成部分,为电子设备提供保护、支撑、组装、绝缘、散热等功能,在电子设备等领域具有重要的应用,无机非金属、金属及高分子材料可以作为电子封装材料。国家发明专利“一种TiB2/Si-Al电子封装复合材料及制备方法”（国家发明专利号：ZL201210527903.6）公开了以硼化钛、Si-Al合金作为主要原料,通过混料、熔炼、熔铸、喷射沉积成形及热等静压五个过程,在Ar气气氛中于580-620 ℃、压强150-170 MPa、保压4 h制备出了TiB2/Si-Al电子封装复合材料。国家发明专利“金属硅粉末及其制造方法、球状二氧化硅粉末与树脂组合物”（国家发明专利号：ZL200810087986.5）公开了一种可以应用于电子封装材料的金属硅粉末、球状二氧化硅和树脂组合物。国家发明专利“太阳能电池封装用乙烯-醋酸乙烯共聚物胶膜及制备方法”（国家发明专利申请号：200810020329.9）以乙烯-乙酸乙烯树脂为主要原料,加入氧化铝、氧化镁、氧化铍、氮化铝和碳化硅等导热填料、2,5-二甲基-2,5-双（叔丁基过氧）己烷及p-（4-羟基-3,5二叔丁基苯基）丙酸正十八碳醇酯,制备出了一种用于封装太阳能电池的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物封装材料。在现有技术中,传统的无机非金属、金属电子封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点,但是存在难于加工、制备温度高等缺点;高分子电子封装材料存在热膨胀系数大、耐老化性能差的缺点。而高质量的电子设备对封装材料要求热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等综合性能。因此,单一的传统材料难以满足电子封装材料的性能要求。 技术原理及性能指标： 技术原理： 本成果按照质量比例称取钼酸铜纳米棒、聚丙乙烯、聚苯乙烯、烷基聚氧乙烯醚、乙酰丙酮钛、聚乙烯蜡和水,然后通过机械搅拌将原料混合均匀,并置于磨具中冲压成型,在80-120 ℃、保温24-72 h,自然冷却后得到了钼酸铜纳米棒复合电子封装材料。这种复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点。 钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的性能指标：（1）热膨胀系数（×10-6 K-1/室温）：5.8-6.5;（2）热导率（W·m-1·K-1/室温）：145-152。 技术的创造性与先进性：本成果在于提供钼酸铜纳米棒作为主要原料,引入聚丙乙烯、聚苯乙烯、烷基聚氧乙烯醚、乙酰丙酮钛、聚乙烯蜡和水等成分,得到具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料。本成果获得了国家发明专利1项。 技术的成熟程度,适用范围和安全性：本成果成熟度高,采用的钼酸铜纳米棒、聚丙乙烯、聚苯乙烯、烷基聚氧乙烯醚、乙酰丙酮钛、聚乙烯蜡是批量生产的原料,可以实现钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的制备。钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的制备温度为80-120 ℃,显著低于无机非金属和金属电子封装材料的制备温度,制备过程简单,降低了能耗,减少了制备成本。本成果提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点,在电子封装领域具有良好的应用前景。 应用情况及存在的问题：项目成果产品的性能已达到实际应用要求,市场前景广阔。但是由于缺乏生产资金支持,所以本成果还未有实际应用。 成果简介：本成果公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料,钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65-80%、聚丙乙烯5-7%、聚苯乙烯5-7%、烷基聚氧乙烯醚0.05-0.5%、乙酰丙酮钛3-8%、聚乙烯蜡3-7%、水3-6%,钼酸铜纳米棒的直径为25-100 nm、长度为0.5-3 μm。本成果提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点,在电子封装领域具有良好的应用前景。