[01725699]全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种采用透明低电阻率ZnO作栅和源、漏电极的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域,及现有全透明晶体管特性差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN帽层和源、漏、栅电极,其中源、漏电极和栅电极均采用掺杂Al2O3的透明ZnO材料,衬底采用透明的双面抛光蓝宝石。源、漏、栅电极在GaN帽层上通过磁控溅射的方法淀积,源区和漏区域进行Si+离子注入,以辅助源区和漏区欧姆接触的形成。本发明具有全透明,高特性的优点,可用于透明领域的抗辐照电路中的电子元件。