[01760511]碳化硅功率二极管器件
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技术详细介绍
碳化硅（SiC）是一种物理化学特性仅次于金刚石的化合物半导体材料，其单晶材料有着非常优秀的物理特性。SiC功率器件被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件，将为电力电子技术带来革命性的巨变。碳化硅肖特基功率二极管成为目前唯一商业化的宽禁带功率二极管。碳化硅肖特基功率二极管的出现将SBD的应用范围从250V提高到了1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。 随着我国节能环保、新能源开发并网和国防科技化进程的迅速发展，可以预见，作为第三代电力电子器件的碳化硅功率器件将在今后几十年中主导、影响相关领域的发展，在国民经济和军事安全中起到更为重要的战略作用。