[01768056]基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于SiC衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法,它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层（2）、高温AlN成核层（3）、本征AlGaN外延层（4）、n-AlGaN势垒层（5）、有源区（6）、p-AlGaN势垒层（7）、低Al组分p型AlGaN层（8）、p型GaN冒层（9）,以及在p型GaN冒层设有的窗口区（10）。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN,形成了圆柱状的出射光窗口,二次湿法刻蚀将柱状出射光窗口变为圆锥状窗口,增大了窗口的出射孔径,同时使得出射光的传播距离减少。本发明由于采用刻蚀的方法使得电子势垒层p-AlGaN的表面粗化,进一步提高了出射光的出射效率,且工艺简单,成本低,重复性好,可靠性高,可用于水质检测,医疗探测、生物制药以及白光照明中。