[01813483]基于Cl2反应的大面积石墨烯制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
无机非金属材料
类型:
非专利
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资料待完善
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于Cl2反应的大面积石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。其实现过程是:(1)在4-12英寸的Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡;(2)在温度为1150℃-1300℃下利用气源C3H8和SiH4生长3C-SiC外延薄膜;(3)将3C-SiC在700-1050℃下与Cl2反应,生成碳膜;(4)将生成的碳膜置于Ar气中,在温度为1000-1100℃下退火10-25min生成石墨烯。用本发明方法生成的石墨烯面积大,表面光滑,孔隙率低,可用于对气体和液体的密封。
本发明公开了一种基于Cl2反应的大面积石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。其实现过程是:(1)在4-12英寸的Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡;(2)在温度为1150℃-1300℃下利用气源C3H8和SiH4生长3C-SiC外延薄膜;(3)将3C-SiC在700-1050℃下与Cl2反应,生成碳膜;(4)将生成的碳膜置于Ar气中,在温度为1000-1100℃下退火10-25min生成石墨烯。用本发明方法生成的石墨烯面积大,表面光滑,孔隙率低,可用于对气体和液体的密封。