[01825507]薄膜锑铟(IMSB)磁阻元件及传感器
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技术详细介绍
该校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”，于１９９５年通过省级鉴定，达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高１０倍以上，而且可开发许多新用途，最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的的磁头可以检测磁迹信号，这是辨真防伪技术上的重要应用。目前该校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏磁头的单位，半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品，现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品：磁阻元件芯片。应用范围：薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏角度传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上标志等二十多种产品。合作方式：面议。