[01836410]电力装备技术开发与研究--1700V/2400A大功率IGBT IPM关键技术研究
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能量转换与储存
类型:
非专利
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技术详细介绍
IPM是把高速、低功率IGBT芯片、续流二极管芯片以及各种驱动保护电路封装在同一绝缘模块之中,形成一个体积小而且更加智能模块,其内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路、温度传感器、电流传感器等功能模块,并可将检测信号送到CPU或DSP进行处理。 本项目所开发的新型1700V/2400高压大功率IPM由功率部分(IGBT部分)、驱动与保护电路、散热器这三部分组成。 在本设计中改变原有驱动器固定的单一阻值的栅极结构,使用多组动态栅极电阻,开通使用+15V电压,关断使用-15V电压,在IGBT开通和关断的过程中,通过不同MOSFET的组合即可实现多等级的栅极驱动,更精细化的控制通断的每个细节,而且只需一路驱动电压。该驱动模块对过流采用两种检测方式:Vce退饱和检测和di/dt检测。两种检测方法的共同使用,互补单个检测的缺陷,过流检测和保护的可靠性及反应速度都有所提高。本项目在进行硬件电路设计时从电磁兼容方面采取多种抗干扰措施,并采用经过特殊设计的高性能、高抗扰器件和特殊的隔离电源,增强抗干扰功能。
IPM是把高速、低功率IGBT芯片、续流二极管芯片以及各种驱动保护电路封装在同一绝缘模块之中,形成一个体积小而且更加智能模块,其内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路、温度传感器、电流传感器等功能模块,并可将检测信号送到CPU或DSP进行处理。 本项目所开发的新型1700V/2400高压大功率IPM由功率部分(IGBT部分)、驱动与保护电路、散热器这三部分组成。 在本设计中改变原有驱动器固定的单一阻值的栅极结构,使用多组动态栅极电阻,开通使用+15V电压,关断使用-15V电压,在IGBT开通和关断的过程中,通过不同MOSFET的组合即可实现多等级的栅极驱动,更精细化的控制通断的每个细节,而且只需一路驱动电压。该驱动模块对过流采用两种检测方式:Vce退饱和检测和di/dt检测。两种检测方法的共同使用,互补单个检测的缺陷,过流检测和保护的可靠性及反应速度都有所提高。本项目在进行硬件电路设计时从电磁兼容方面采取多种抗干扰措施,并采用经过特殊设计的高性能、高抗扰器件和特殊的隔离电源,增强抗干扰功能。