[01850058]一种宽带的中红外调制器2
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技术详细介绍
本发明涉一种宽带的中红外调制器,所述中红外调制器为多层结构,中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料;所述中红外调制器的多层结构的最下层为金,最上层为二氧化硅,二氧化钒层位于中红外调制器的中部,二氧化钒层的上侧设有钛金属层。其中,优选的结构为,中红外调制器的多层结构从下至上依次为金、二氧化硅、二氧化钒、钛金属、二氧化硅。本发明的宽带的中红外调制器,该中红外调制器的带宽达到中心波长的94％;该中红外调制器的结构为层状结构,制作简单、成本低,层状薄膜结构无需图案化印刷技术,因此可简化制作工艺、降低成本。