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[01901700]薄膜电容器用高储能密度聚醚醚酮的开发与设计

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过小试

专利所属地:中国

专利号:CN202010167151.1

交易方式: 技术转让

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

本团队一直致力于本征高介电薄膜电容器介质材料的研究,先后开发出了基于聚芳醚高分子的10种高介电材料,其中双酚酸型高介电聚醚醚酮和酚酞啉型聚醚醚酮是两种非常有应用价值的新型介电高分子材料,其介电常数(4.5~5)普遍高于传统的聚醚醚酮材料(PEEK,~3.1),介电损耗与传统PEEK相当(0.004~0.008),玻璃化转变温度高于传统PEEK(116-245 ℃)。

此外,我们所开发的PEEK具有优异的力学性能,拉伸强度可以达到60~120 MPa,拉伸模量高于2.1 GPa。由于具有这些良好的物理性能,新型高介电聚醚醚酮的使用温度可以达到150 ℃,在此温度下的使用电压可以达到350 MV/m,在保持90%释放效率所对应的能量密度达到了1.9 J cm-3,优于传统的PEEK。

本团队一直致力于本征高介电薄膜电容器介质材料的研究,先后开发出了基于聚芳醚高分子的10种高介电材料,其中双酚酸型高介电聚醚醚酮和酚酞啉型聚醚醚酮是两种非常有应用价值的新型介电高分子材料,其介电常数(4.5~5)普遍高于传统的聚醚醚酮材料(PEEK,~3.1),介电损耗与传统PEEK相当(0.004~0.008),玻璃化转变温度高于传统PEEK(116-245 ℃)。

此外,我们所开发的PEEK具有优异的力学性能,拉伸强度可以达到60~120 MPa,拉伸模量高于2.1 GPa。由于具有这些良好的物理性能,新型高介电聚醚醚酮的使用温度可以达到150 ℃,在此温度下的使用电压可以达到350 MV/m,在保持90%释放效率所对应的能量密度达到了1.9 J cm-3,优于传统的PEEK。

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