[01915062]A1N 基纳米材料与光电薄膜的制备
联系人：张秀珩
所在地：辽宁沈阳市
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技术详细介绍
制备得到各种形貌准一维 AlN 纳米结构，发现控制铝蒸汽压大小是 AlN 纳 米结构形成的最重要因素，决定 AlN 成核和外延生长形貌，为 AlN 基复合材 料制备提供技术支持。利用磁控和等离子体辅助蒸发技术制备组分可调 AlInN 三元 半导体薄膜，光学吸收边能量可调范围覆盖紫外、可见和红外光谱。制备得到稀土 掺杂 AlInN 薄膜具有显著的稀土发光特性和光电响应特性。