X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心 | 关于我们
欢迎来到辽阳市科技创新服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[01915082]非极性 InN 纳米晶薄膜的沉积技术

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 技术转让

联系人:周秋忠

所在地:辽宁沈阳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

设计一种低温等离子体增强辅助蒸发制备非极性氮化铟纳米晶薄膜的 新型制备方法,无需在硅或石英衬底上预先进行催化剂和缓冲层的生长,同 时也解决了只有使用蓝宝石或GaN 衬底的才能生长非极性InN 薄膜的高成本 问题。该工艺方法使用原料简单、成本低,没有添加任何催化剂和模板,易 于大尺寸衬底上生长,为制备高性能 InN 光电器件提供实验材料。
设计一种低温等离子体增强辅助蒸发制备非极性氮化铟纳米晶薄膜的 新型制备方法,无需在硅或石英衬底上预先进行催化剂和缓冲层的生长,同 时也解决了只有使用蓝宝石或GaN 衬底的才能生长非极性InN 薄膜的高成本 问题。该工艺方法使用原料简单、成本低,没有添加任何催化剂和模板,易 于大尺寸衬底上生长,为制备高性能 InN 光电器件提供实验材料。

推荐服务:

主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

辽ICP备16017206号-1

辽公网安备 21100302203138号

关于我们

平台简介

联系我们

客服咨询

400-649-1633

工作日:08:30-21:00

节假日:08:30-12:00

13:30-17:30