[01918787]一种 PEIE 介入标准倒 置 QLED 器件及其制备 方法
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技术详细介绍
一种 PEIE 介入标准倒置 QLED 器件及其制备方法，包括如下步 骤：(1)在柔性衬底上沉积 ZnO 电子注入层；(2)在 ZnO 电子注 入层上旋涂 PEIE 溶液，制得界面修饰层A； (3)在界面修饰层 A 上 沉 积 量 子 点 发 光 层 ， 所 述 量 子 点 发 光 层 的 材 料 为 ZnCdSeS/ZnS 绿光量子点； (4)在量子点发光层上沉积 PEIE 溶 液，制得界面修饰层 B； (5)在界面修饰层 B 上沉积空穴传输 层和空穴注入层，所述的空穴传输层为 PVK、TFB、poly- TPD、 TCTA、CBP 中的一种或多种，所述的空穴注入层为 PEDOT : PSS；
(5)蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au 或合金电极； 待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。