[01918795]一种原位补偿硒硫的 磁控溅射靶材
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技术详细介绍
本申请公开一种原位补偿硒硫的磁控溅射靶材，属于磁控溅射 镀膜技术领域，包括固定在背板或靶座上的基体和镶嵌体，基 体包括环形的刻蚀区以及位于环形刻蚀区中部的非刻蚀区，镶 嵌体设于非刻蚀区，镶嵌体由n 个单元组成，n≥1，且 n 为整 数。本实用新型在靶材中央非溅射区固定低熔点、易挥发的镶 嵌体，利用磁控溅射过程中产生的余热，将镶嵌体物质蒸发到 溅射腔室内，与被溅射物质反应，并一同沉积到薄膜内。来实 现对磁控溅射制备的前驱体薄膜，将某组分进行均匀掺入的目 的。减少后处理过程对薄膜的负面影响，来提高器件相关性能。