[01918807]一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
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技术详细介绍
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。