[01918809]一种基于钒掺杂氧化钼的QLED 器件及其制 备方法
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本发明公开一种基于钒掺杂氧化钼的 QLED 器件及其制备方 法，涉及量子点发光二极管技术领域，器件包括由上而下依次 设置的阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空 穴注入层和阳极层；阴极层用于产生电子；电子传输层用于使 电子传输至量子点发光层；量子点发光层为电子和空穴的复合 区，用于载流子的复合发光；空穴注入层用于使空穴从阴极层 注入空穴传输层； 空穴传输层用于使空穴传输至量子点发光 层；阳极层为基底；空穴注入层包括钒掺杂氧化钼薄膜以及设 置于钒掺杂氧化钼薄膜上部的聚(3, 4- 乙烯二氧噻吩) : 聚 苯乙烯磺酸盐薄膜。本发明可以提高氧化钼薄膜的电荷传输特 性，有利于器件中电子- 空穴注入平衡。