[01918850]一种基于 MoOx 空穴注 入层的 QLED 器件及其 制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于MoOx 空 穴注入层的 QLED 器件及其制备方法。本发明选择具有无毒﹑ 高功函数﹑ 良好环境稳定性的 MoOX 薄膜为空穴注入层，通过 对 MoOx 薄膜进行厚度﹑退火温度﹑UV- O3 处理等实验参数的 优化，获得基于 MoOx 混合空穴注入层的 QLED 器件，通过对器 件性能进行表征，结果表明，当前驱体浓度为 6%w/v，退火温 度为 130℃ , UV- O3 处理时间为 10 min 时，所获得的器件性 能最佳，最高亮度达 229400 cd/m2，最大电流效率和最大外 量子效率分别为 41.75 cd/A 和 9.70%。