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[01918962]一种 以双 ( 甲酸)二 甲 基锡N 型半导体薄膜作 为电子传输层的太阳 能电池及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 技术转让

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技术详细介绍

本发明一种以双(甲酸)二甲基锡 N 型半导体薄膜作为电子传 输层的太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池材料及器件 技术领域,包括以下步骤: (1)将异辛酸亚锡溶解到一种或者 多种共混的弱极性有机溶剂中,通过搅拌方式将其完全溶解, 得到无色透明溶液;将溶液滴到洁净的透明导电衬底上,进行 旋涂,然后在紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理,得到薄膜;记 为:衬底负电极/CSCO (2)在步骤(1)所得样品上沉积具有光 电转换性能的材料,得到活性层,然后制备空穴传输层,最后 蒸镀顶层正电级,得到太阳能电池,记为:衬底负电极/CSCO/ 活性层/空穴传输层/顶层正电级。

本发明一种以双(甲酸)二甲基锡 N 型半导体薄膜作为电子传 输层的太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池材料及器件 技术领域,包括以下步骤: (1)将异辛酸亚锡溶解到一种或者 多种共混的弱极性有机溶剂中,通过搅拌方式将其完全溶解, 得到无色透明溶液;将溶液滴到洁净的透明导电衬底上,进行 旋涂,然后在紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理,得到薄膜;记 为:衬底负电极/CSCO (2)在步骤(1)所得样品上沉积具有光 电转换性能的材料,得到活性层,然后制备空穴传输层,最后 蒸镀顶层正电级,得到太阳能电池,记为:衬底负电极/CSCO/ 活性层/空穴传输层/顶层正电级。

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