[00223094]一种实现碲化镓(GaTe)二维材料激子激光发射的方法
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710301566.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中山大学
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所在地：广东广州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种实现碲化镓(GaTe)二维材料激子激光发射的方法，其工艺步骤如下a)在蓝宝石衬底上制备氧化锌(ZnO)六角微米盘，作为GaTe材料激射的谐振腔；b)在长有ZnO六角微米盘的蓝宝石衬底上合成GaTe材料，作为激射的增益物质；c)使用扫描电子显微镜、拉曼、原子力显微镜、透射电镜等表征手段表征所合成复合结构，然后在532nm飞秒激光泵浦下测试GaTe的发光性质。所述ZnO六角微米盘尺寸大小以及GaTe材料的厚度等参数通过调节气流量和温度等条件来控制。本发明高效而且合成可控，制备得到的GaTe/ZnO六角微米盘有很高的结晶质量，不仅对新型二维材料GaTe的合成有了更进一步的研究，而且第一次实现了GaTe单层激子激光发射。
摘要：本发明公开了一种实现碲化镓(GaTe)二维材料激子激光发射的方法，其工艺步骤如下a)在蓝宝石衬底上制备氧化锌(ZnO)六角微米盘，作为GaTe材料激射的谐振腔；b)在长有ZnO六角微米盘的蓝宝石衬底上合成GaTe材料，作为激射的增益物质；c)使用扫描电子显微镜、拉曼、原子力显微镜、透射电镜等表征手段表征所合成复合结构，然后在532nm飞秒激光泵浦下测试GaTe的发光性质。所述ZnO六角微米盘尺寸大小以及GaTe材料的厚度等参数通过调节气流量和温度等条件来控制。本发明高效而且合成可控，制备得到的GaTe/ZnO六角微米盘有很高的结晶质量，不仅对新型二维材料GaTe的合成有了更进一步的研究，而且第一次实现了GaTe单层激子激光发射。
