[00229891]纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用
交易价格:
面议
所属行业:
专用化学
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510109691.3
交易方式:
技术转让
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技术入股
联系人:
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地:江苏苏州市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开了一种纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用。该制备方法包括:提供具有纳米孔道阵列的模板,纳米孔道阵列由分布在模板上的复数纳米级盲孔组成;将离子导体溶液等填充于模板内并固化成型;以及,去除所述模板,获得所述纳米阵列结构的离子交换膜。进一步的,该离子交换膜可应用于制备单电极核心组件。本发明通过采用单通模板法在离子交换膜上原位制备纳米阵列,尺寸可大范围控制,其中纳米线或纳米管直径>100nm,长度为10nm‑100μm,纳米阵列的离子交换膜面积为0.1cm2‑1m2,进一步的,通过并且采用磁性调控催化剂进入纳米缝隙,可大大增加三相界面(电子、质子、物质),并且可精确控制,且工艺简单,可大规模生产。
摘要:本发明公开了一种纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用。该制备方法包括:提供具有纳米孔道阵列的模板,纳米孔道阵列由分布在模板上的复数纳米级盲孔组成;将离子导体溶液等填充于模板内并固化成型;以及,去除所述模板,获得所述纳米阵列结构的离子交换膜。进一步的,该离子交换膜可应用于制备单电极核心组件。本发明通过采用单通模板法在离子交换膜上原位制备纳米阵列,尺寸可大范围控制,其中纳米线或纳米管直径>100nm,长度为10nm‑100μm,纳米阵列的离子交换膜面积为0.1cm2‑1m2,进一步的,通过并且采用磁性调控催化剂进入纳米缝隙,可大大增加三相界面(电子、质子、物质),并且可精确控制,且工艺简单,可大规模生产。