[00229932]一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110366696.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法。该探针包括倾斜式针尖、悬臂梁及主体支撑结构，其特征在于采用顶层硅厚度等于AFM探针悬臂梁厚度的（100）型SOI硅片为制备原料；首先在SOI硅片的顶层硅上应用湿法刻蚀工艺形成AFM探针的悬臂梁，之后在位于悬臂梁顶端的(111)面上制备催化剂颗粒；然后采用化学气相沉积工艺进行硅纳米线的生长形成AFM探针的针尖，得到目标产物。本发明采用硅纳米线生长工艺形成探针的针尖，突破了当前工艺对倾斜式超大高宽比AFM探针制备的限制，真正实现了倾斜式超大高宽比AFM探针可控制备。
摘要：本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法。该探针包括倾斜式针尖、悬臂梁及主体支撑结构，其特征在于采用顶层硅厚度等于AFM探针悬臂梁厚度的（100）型SOI硅片为制备原料；首先在SOI硅片的顶层硅上应用湿法刻蚀工艺形成AFM探针的悬臂梁，之后在位于悬臂梁顶端的(111)面上制备催化剂颗粒；然后采用化学气相沉积工艺进行硅纳米线的生长形成AFM探针的针尖，得到目标产物。本发明采用硅纳米线生长工艺形成探针的针尖，突破了当前工艺对倾斜式超大高宽比AFM探针制备的限制，真正实现了倾斜式超大高宽比AFM探针可控制备。
