[00230308]铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用
交易价格：
面议
所属行业：
电力绝缘
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610518121.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院深圳先进技术研究院
进入空间
所在地：广东深圳市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供了一种铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用，该铜基导电浆料是通过将预处理后的纳米铜颗粒均匀分散于导电浆料溶液中得到的，以该铜基导电浆料的总质量为100％计，所述纳米铜颗粒占该铜基导电浆料总质量的10～90％。本发明还提供了一种应用所述铜基导电浆料的芯片封装铜铜键合方法。该方法利用铜基导电浆料中所含纳米铜颗粒小尺寸带来的低熔点性能，促进铜铜界面在较低温度和较小压力下进行键合，并可以有效保证键合强度和效率，且该方法工艺简单、成本低廉、环境友好，所以通过该方法可以实现倒装芯片互连的低温高密度封装集成。
本发明提供了一种铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用，该铜基导电浆料是通过将预处理后的纳米铜颗粒均匀分散于导电浆料溶液中得到的，以该铜基导电浆料的总质量为100％计，所述纳米铜颗粒占该铜基导电浆料总质量的10～90％。本发明还提供了一种应用所述铜基导电浆料的芯片封装铜铜键合方法。该方法利用铜基导电浆料中所含纳米铜颗粒小尺寸带来的低熔点性能，促进铜铜界面在较低温度和较小压力下进行键合，并可以有效保证键合强度和效率，且该方法工艺简单、成本低廉、环境友好，所以通过该方法可以实现倒装芯片互连的低温高密度封装集成。
