[00232087]一种单晶硅倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410196601.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院宁波先进制造所
进入空间
所在地：浙江宁波市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供了单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用。具体地，本发明提供了一种单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面的制备方法，包括：在所述基片的至少一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜，得到基片-聚合物微球单层薄膜；在所述基片-聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层，得到基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层；除去所述基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层中的聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元；腐蚀未覆盖所述掩膜的单元为倒金字塔形压槽，在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面。本发明制备倒金字塔阵列结构绒面方法工艺简单，成本低廉，克服了现有技术无法大规模生成，制备条件要求苛刻等缺点。
摘要：本发明提供了单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用。具体地，本发明提供了一种单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面的制备方法，包括：在所述基片的至少一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜，得到基片-聚合物微球单层薄膜；在所述基片-聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层，得到基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层；除去所述基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层中的聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元；腐蚀未覆盖所述掩膜的单元为倒金字塔形压槽，在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面。本发明制备倒金字塔阵列结构绒面方法工艺简单，成本低廉，克服了现有技术无法大规模生成，制备条件要求苛刻等缺点。
