[00235891]室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200510039179.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
进入空间
所在地：四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及功能薄膜材料制备技术，其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜，结合后续的结晶、退火，实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位，使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件，使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时，其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件，使薄膜相变向低温适当延展，相变滞豫足够小，实现室温附近的TCR大大提高，达10%/K以上，可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固，结构致密，与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉，具有成本优势，且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
本发明涉及功能薄膜材料制备技术，其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜，结合后续的结晶、退火，实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位，使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件，使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时，其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件，使薄膜相变向低温适当延展，相变滞豫足够小，实现室温附近的TCR大大提高，达10%/K以上，可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固，结构致密，与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉，具有成本优势，且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
