[00241566]一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110310032.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院过程工程研究所
进入空间
所在地：北京北京市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法，铜铟硫三元半导体纳米粒子的制备方法。将铜盐和铟盐溶于一定量水中，加入适量巯基酸，调节pH到一定范围，然后加入硫源，搅拌均匀后将所得溶液转入水热反应釜中，在一定温度进行水热反应；将得到的胶体溶液冷却到室温，通过离心沉降得到铜铟硫半导体纳米粒子。本发明得到的铜铟硫半导体纳米粒子分为黄铜矿相和纤锌矿相两种，其中黄铜矿颗粒为类球状，颗粒大小为10～30nm，纤锌矿相为不规则形状和六方片状结构，其中六方片状结构大小为100～200nm。
摘要：本发明涉及一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法，铜铟硫三元半导体纳米粒子的制备方法。将铜盐和铟盐溶于一定量水中，加入适量巯基酸，调节pH到一定范围，然后加入硫源，搅拌均匀后将所得溶液转入水热反应釜中，在一定温度进行水热反应；将得到的胶体溶液冷却到室温，通过离心沉降得到铜铟硫半导体纳米粒子。本发明得到的铜铟硫半导体纳米粒子分为黄铜矿相和纤锌矿相两种，其中黄铜矿颗粒为类球状，颗粒大小为10～30nm，纤锌矿相为不规则形状和六方片状结构，其中六方片状结构大小为100～200nm。
