[00241657]一种纳米高纯二氧化硅的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
无机非金属材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200410049864.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院过程工程研究所
进入空间
所在地：北京北京市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的制备方法，其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相法制备纳米SiO2，包括：将空气或氧气净化后送入高频等离子体发生器，在震荡功率30KW、频率3～4MHz的条件下，产生等离子态的氧；将SiCl4在200～300℃温度下气化后，送入等离子体化学反应器，与氧等离子体在1200～1800℃下进行反应，反应物在反应器内停留0.15～1秒，采用除疤装置除疤，送入的SiCl4与氧气的摩尔比为1∶1.2～2；最后通入干燥的空气或N2气，将二氧化硅晶核淬冷至300℃以下，收集粉体、除氯，得到本发明的纳米高纯二氧化硅。该方法工艺流程简单，产品粉体不易团聚，分散度好，产品颗粒的尺寸、分布和形貌可控，且生产量大，不会带来环境问题。
摘要：本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的制备方法，其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相法制备纳米SiO2，包括：将空气或氧气净化后送入高频等离子体发生器，在震荡功率30KW、频率3～4MHz的条件下，产生等离子态的氧；将SiCl4在200～300℃温度下气化后，送入等离子体化学反应器，与氧等离子体在1200～1800℃下进行反应，反应物在反应器内停留0.15～1秒，采用除疤装置除疤，送入的SiCl4与氧气的摩尔比为1∶1.2～2；最后通入干燥的空气或N2气，将二氧化硅晶核淬冷至300℃以下，收集粉体、除氯，得到本发明的纳米高纯二氧化硅。该方法工艺流程简单，产品粉体不易团聚，分散度好，产品颗粒的尺寸、分布和形貌可控，且生产量大，不会带来环境问题。
