[00246354]AAO基光子晶体太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他新材料技术
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710914802.7
交易方式:
技术转让
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联系人:
科小易
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所在地:福建厦门市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本[发明专利]所述AAO基光子晶体太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,包括以下步骤:1)用砂纸对铝合金基材打磨干净,放入碱洗液中碱洗4~6min,碱洗温度:60~70℃,冲洗干净后,放入酸洗液中酸洗3~5min,水冲洗干净后备用;2)铝合金基材放入H2SO4的电解液中做周期性变电压氧化,且阴极板采用石墨板;3)阳极氧化模板用蒸馏水水洗后吹干,放入100~110g/L H3PO4溶液中交流扩孔,处理时间:3min;4)试样用超纯水冲洗后,放入在以NiSO4·6H2O和CuSO4·5H2O为主盐的沉积液中进行交流电沉积。该吸收涂层在300~2500nm范围内有较高的吸收率,在3300~25000nm范围内有较低的红外发射率。材料来源较为广泛、涂层结合力牢固,生产成本较低,可以应用太阳能热水器等吸热材料。
本[发明专利]所述AAO基光子晶体太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,包括以下步骤:1)用砂纸对铝合金基材打磨干净,放入碱洗液中碱洗4~6min,碱洗温度:60~70℃,冲洗干净后,放入酸洗液中酸洗3~5min,水冲洗干净后备用;2)铝合金基材放入H2SO4的电解液中做周期性变电压氧化,且阴极板采用石墨板;3)阳极氧化模板用蒸馏水水洗后吹干,放入100~110g/L H3PO4溶液中交流扩孔,处理时间:3min;4)试样用超纯水冲洗后,放入在以NiSO4·6H2O和CuSO4·5H2O为主盐的沉积液中进行交流电沉积。该吸收涂层在300~2500nm范围内有较高的吸收率,在3300~25000nm范围内有较低的红外发射率。材料来源较为广泛、涂层结合力牢固,生产成本较低,可以应用太阳能热水器等吸热材料。