[00246384]一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他新材料技术
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201711489623.X
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
科小易
进入空间
所在地:福建厦门市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本[发明专利]属于功能陶瓷技术领域,公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法,所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3,其中0.4≤x≤0.5,本[发明专利]的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构,不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场,同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2,使其具有较高的储能密度4.2~6.9J/cm3,这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。
本[发明专利]属于功能陶瓷技术领域,公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法,所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3,其中0.4≤x≤0.5,本[发明专利]的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构,不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场,同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2,使其具有较高的储能密度4.2~6.9J/cm3,这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。