[00251478]一种具有金属氧化物电介质层MIS结构电容器制备方法
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面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201810170956.4
交易方式：
技术转让
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联系人：
科小易
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所在地：福建厦门市
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-
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明属于微电子领域，提供一种具有金属氧化物电介质层的MIS结构电容器制备方法。包括基片清洗、预溅射靶材、沉积金属阻挡层、沉积电介质层、沉积上电极，其中金属阻挡层、电介质层都是以金属作为靶材，氩气和氧气混合气氛下，利用磁控溅射制备的。特别地，在沉积电介质薄膜初期，金属阻挡层被氧化，与后续生长的氧化物薄膜共同构成MIS结构电容器的电介质层；金属阻挡层的存在能显著抑制溅射法制备金属氧化物电介质薄膜过程中，半导体衬底和电介质层之间氧化物界面层的生长、减小其厚度，有效地提高金属氧化物电介质层在服役工作和电性能测试时所分担的电压，从而大幅度提高MIS结构电容器的介电常数。
本发明属于微电子领域，提供一种具有金属氧化物电介质层的MIS结构电容器制备方法。包括基片清洗、预溅射靶材、沉积金属阻挡层、沉积电介质层、沉积上电极，其中金属阻挡层、电介质层都是以金属作为靶材，氩气和氧气混合气氛下，利用磁控溅射制备的。特别地，在沉积电介质薄膜初期，金属阻挡层被氧化，与后续生长的氧化物薄膜共同构成MIS结构电容器的电介质层；金属阻挡层的存在能显著抑制溅射法制备金属氧化物电介质薄膜过程中，半导体衬底和电介质层之间氧化物界面层的生长、减小其厚度，有效地提高金属氧化物电介质层在服役工作和电性能测试时所分担的电压，从而大幅度提高MIS结构电容器的介电常数。
