[00252403]一种石墨相氮化碳纳米环材料及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710290099.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种石墨相氮化碳（g‑C3N4）纳米环材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该g‑C3N4纳米环材料为圆环状结构，外环直径为20‑1000nm，外环高度为20‑200nm，内部圆孔直径为10‑800nm。其制备方法为：以三聚氰胺作为前驱体，二氧化硅纳米球为模板，受热升华的前驱体在载气的吹扫下进入高温区发生热缩聚反应，热缩聚产物在二氧化硅纳米球表面自组装形成g‑C3N4纳米环，冷却后利用刻蚀试剂去除模板，将产物干燥得到g‑C3N4纳米环材料。该g‑C3N4与热缩聚法形成的体相g‑C3N4相比，具有更高的比表面积、更优异的光生电子‑空穴分离能力和更良好的导电性，不仅可用于光催化产氢，光催化二氧化碳还原及光催化降解有机物等领域，也能作为载体负载催化剂或药物，在能源、环境及医药领域具有广阔的应用前景。
一种石墨相氮化碳（g‑C3N4）纳米环材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该g‑C3N4纳米环材料为圆环状结构，外环直径为20‑1000nm，外环高度为20‑200nm，内部圆孔直径为10‑800nm。其制备方法为：以三聚氰胺作为前驱体，二氧化硅纳米球为模板，受热升华的前驱体在载气的吹扫下进入高温区发生热缩聚反应，热缩聚产物在二氧化硅纳米球表面自组装形成g‑C3N4纳米环，冷却后利用刻蚀试剂去除模板，将产物干燥得到g‑C3N4纳米环材料。该g‑C3N4与热缩聚法形成的体相g‑C3N4相比，具有更高的比表面积、更优异的光生电子‑空穴分离能力和更良好的导电性，不仅可用于光催化产氢，光催化二氧化碳还原及光催化降解有机物等领域，也能作为载体负载催化剂或药物，在能源、环境及医药领域具有广阔的应用前景。
