技术详细介绍
本实用新型涉及一种晶体生长装置，尤其是一种采用垂直多坩埚下降法生长晶体的装置。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统，包括晶体炉、坩埚、晶体台和温度控制装置。晶体炉炉体从外到内包括外壳、保温棉、保温砖层、耐火层、摩根砖、工字砖层和支撑架，其中耐火层位于炉膛附近高温区，摩根砖位于炉膛中下部。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统能同时生长多根乃至数十根晶体。
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