[00256869]石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510320273.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西南科技大学
进入空间
所在地：四川绵阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层，再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内，将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C，再通入羰基钨蒸汽，使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层；然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C，向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气，在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移，可在同一套装置中原位连续生长，这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
摘要：本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层，再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内，将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C，再通入羰基钨蒸汽，使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层；然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C，向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气，在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移，可在同一套装置中原位连续生长，这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
