[00257455]一种SnO2花状结构纳米材料及其水热制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110177297.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西北大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种SnO2花状结构纳米材料及其制备方法：将SnCl4·5H2O和NaOH分别溶于去离子水；将SnCl4溶液在4~25℃条件下搅拌，将NaOH溶液滴入，得到锡离子浓度为0.1mol/L~0.3mol/L，氢氧根浓度为0.9mol/L~3.3mol/L，氢氧根离子与锡离子摩尔浓度之比为9~11：1的前驱体溶液；将前驱体溶液转移到反应釜中密封，反应釜的填充度为70%，在190℃~200℃下保温8~12h；反应结束后降至室温，将反应所得产物用去离子水和无水乙醇反复洗涤并过滤，直到滤液pH=7，在60℃下烘干过滤后的产物，得到花状结构SnO2纳米材料。该产物形态为三维花状纳米线簇，具体地说，花蕾是由共球心沿半径方向排列的、单晶SnO2纳米线构成，纳米线的直径为90~400nm，长度为950~1200nm，长径比为3.00~10.56。
摘要：本发明公开了一种SnO2花状结构纳米材料及其制备方法：将SnCl4·5H2O和NaOH分别溶于去离子水；将SnCl4溶液在4~25℃条件下搅拌，将NaOH溶液滴入，得到锡离子浓度为0.1mol/L~0.3mol/L，氢氧根浓度为0.9mol/L~3.3mol/L，氢氧根离子与锡离子摩尔浓度之比为9~11：1的前驱体溶液；将前驱体溶液转移到反应釜中密封，反应釜的填充度为70%，在190℃~200℃下保温8~12h；反应结束后降至室温，将反应所得产物用去离子水和无水乙醇反复洗涤并过滤，直到滤液pH=7，在60℃下烘干过滤后的产物，得到花状结构SnO2纳米材料。该产物形态为三维花状纳米线簇，具体地说，花蕾是由共球心沿半径方向排列的、单晶SnO2纳米线构成，纳米线的直径为90~400nm，长度为950~1200nm，长径比为3.00~10.56。
