[00257721]二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法
交易价格：
面议
所属行业：
分析仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510144961.4
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
西安理工大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，包括以下步骤输入模型文件；初始化参数以及设置参数；添加场源到磁场分量系数中，并更新计算整个计算区域磁场分量系数；更新计算整个计算区域的电场分量系数；更新计算整个计算区域的中间变量的系数；更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量；计算观测点的电磁场分量；将p+1赋值给p，并判断p是否达到预设值，若p未达到预设值，则返回步骤3；若p达到预设值时，则结束。本发明的二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，对于低频和凋落波具有更好的吸收效果。
摘要：本发明公开了一种二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，包括以下步骤输入模型文件；初始化参数以及设置参数；添加场源到磁场分量系数中，并更新计算整个计算区域磁场分量系数；更新计算整个计算区域的电场分量系数；更新计算整个计算区域的中间变量的系数；更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量；计算观测点的电磁场分量；将p+1赋值给p，并判断p是否达到预设值，若p未达到预设值，则返回步骤3；若p达到预设值时，则结束。本发明的二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，对于低频和凋落波具有更好的吸收效果。
