[00257723]基于自由液面温度测量值和特征函数插值的硅熔体温度场重构方法
交易价格：
面议
所属行业：
分析仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710439593.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安理工大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了基于自由液面温度测量值和特征函数插值的硅熔体温度场重构方法，利用热传导方程的特征值问题对单晶炉二维轴对称晶体生长过程等径阶段硅熔体模型分析，计算得到特征值和对应的特征函数，利用阈值标量函数计算出各个特征函数对待还原区域的作用大小，并设定一个标量值作为选取特征函数的衡量标准，通过基于多种群遗传算法优化温度传感器测点的布设位置，最后利用这组优化位置组合的温度测量值与选取的特征函数计算得到反映硅熔体区域特性的权重因子，再与硅熔体内各点的特征函数做内积运算得到硅熔体的温度分布。该方法减小了复杂结构对布置温度传感器的影响，不受限于热传导物理问题，扩展性好。
摘要：本发明公开了基于自由液面温度测量值和特征函数插值的硅熔体温度场重构方法，利用热传导方程的特征值问题对单晶炉二维轴对称晶体生长过程等径阶段硅熔体模型分析，计算得到特征值和对应的特征函数，利用阈值标量函数计算出各个特征函数对待还原区域的作用大小，并设定一个标量值作为选取特征函数的衡量标准，通过基于多种群遗传算法优化温度传感器测点的布设位置，最后利用这组优化位置组合的温度测量值与选取的特征函数计算得到反映硅熔体区域特性的权重因子，再与硅熔体内各点的特征函数做内积运算得到硅熔体的温度分布。该方法减小了复杂结构对布置温度传感器的影响，不受限于热传导物理问题，扩展性好。
