[00260376]一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
建筑材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710470661.4
交易方式：
技术转让
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联系人：
西安交通大学
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所在地：陕西西安市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；2)按照粉料重量PVA重量＝955的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；3)将生坯放入空气炉中进行烧结，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，填充Ar，升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低，火花能量大、不受气压和环境介质的影响，耐热冲击、耐电火花的腐蚀，熄灭再启动、高空性能好等优良性能。
本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；2)按照粉料重量PVA重量＝955的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；3)将生坯放入空气炉中进行烧结，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，填充Ar，升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低，火花能量大、不受气压和环境介质的影响，耐热冲击、耐电火花的腐蚀，熄灭再启动、高空性能好等优良性能。
