[00261548]快速制备3C-SiC外延膜方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410423183.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
武汉理工大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种快速制备3C-SiC外延膜方法，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大量成核点；同时激光也为薄膜的生长提供有效的光子活化和加热方式，使SiC薄膜的生长速度大幅度提高；通过控制激光光斑大小得到1-4英寸的SiC薄膜制品。本发明由于利用激光的光、热效应促使前驱体反应，使前驱体利用率和反应速率大幅度提高，在制备大尺寸3C-SiC薄膜的同时又保证了薄膜的均匀性。
摘要：本发明公开了一种快速制备3C-SiC外延膜方法，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大量成核点；同时激光也为薄膜的生长提供有效的光子活化和加热方式，使SiC薄膜的生长速度大幅度提高；通过控制激光光斑大小得到1-4英寸的SiC薄膜制品。本发明由于利用激光的光、热效应促使前驱体反应，使前驱体利用率和反应速率大幅度提高，在制备大尺寸3C-SiC薄膜的同时又保证了薄膜的均匀性。
