技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种量子点材料的制作装置和制作方法，该制作装置通过在现有的外延装置中添加了可以产生干涉图像的光学装置，使得衬底在进行外延的同时，在外延层上施加一个干涉图像。通过该干涉图像，在外延层上形成一个规则分布的温度场，使得外延层在温度较高的点位上开始形成原子聚集现象，而在温度相对较低的区域则没有原子聚集。如此一来，根据外延表面温度的分布情况，就能人为的控制量子点产生的位置而不引入缺陷，实现一种无缺陷的长程有序的量子点制作。
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