[00263536]一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410125283.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
苏州大学
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法，利用双靶磁控溅射装置制备，包括以下步骤：(1)安装制备双组元薄膜所需的靶材，并将清洁后的基片置入真空室中；溅射靶中心至基片台中心的距离为130mm；(2)将真空室真空抽至5×10-4Pa，然后将氩气充入真空室中，氩气的流量为30sccm，保持真空室的压力为5Pa；(3)在其中的一个靶上施加60MHz甚高频电源，调节甚高频功率为150W，在另外一个靶上添加2MHz射频电源，调节射频功率为50～250W；经过溅射在基片上制备双组元薄膜。利用射频与甚高频之间的频率解耦合性能，实现双溅射靶的离子能量分别独立控制，避免了溅射各个靶的等离子体性能（能量、密度）的接近，有利于各组元溅射的独立调控。
摘要：本发明公开了一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法，利用双靶磁控溅射装置制备，包括以下步骤：(1)安装制备双组元薄膜所需的靶材，并将清洁后的基片置入真空室中；溅射靶中心至基片台中心的距离为130mm；(2)将真空室真空抽至5×10-4Pa，然后将氩气充入真空室中，氩气的流量为30sccm，保持真空室的压力为5Pa；(3)在其中的一个靶上施加60MHz甚高频电源，调节甚高频功率为150W，在另外一个靶上添加2MHz射频电源，调节射频功率为50～250W；经过溅射在基片上制备双组元薄膜。利用射频与甚高频之间的频率解耦合性能，实现双溅射靶的离子能量分别独立控制，避免了溅射各个靶的等离子体性能（能量、密度）的接近，有利于各组元溅射的独立调控。
