[00268201]一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
建筑材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200910273178.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
深圳大学
进入空间
所在地：广东深圳市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法。本发明是在ZnO-Bi2O3-TiO2系的压敏电阻材料中添加0.4～3wt％的铋硼玻璃。压敏电阻材料优选为：ZnO 92.5～95.9mol％；Bi2O30.5～3mol％；TiO20.4～2mol％；Co2O3 0.1～2mol％；MnCO3 0.2～2mol％；Sb2O30.05～1mol％；Cr2O30.1～1mol％；铋硼玻璃优选为：Bi2O3 30～70mol％，余量为B2O3。本发明可以在提高非线性系数和降低漏电流的同时，得到低电位梯度范围内的一系列电位梯度值。其制备方法可以使其烧结温度也得到大幅度的降低，较好地解决了低电位梯度压敏电阻材料低温烧结和低电位梯度两个相互制约的问题，为实现MLV陶瓷层压敏电阻材料与纯银电极的低温共烧提供了必要条件。
摘要：本发明公开了一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法。本发明是在ZnO-Bi2O3-TiO2系的压敏电阻材料中添加0.4～3wt％的铋硼玻璃。压敏电阻材料优选为：ZnO 92.5～95.9mol％；Bi2O30.5～3mol％；TiO20.4～2mol％；Co2O3 0.1～2mol％；MnCO3 0.2～2mol％；Sb2O30.05～1mol％；Cr2O30.1～1mol％；铋硼玻璃优选为：Bi2O3 30～70mol％，余量为B2O3。本发明可以在提高非线性系数和降低漏电流的同时，得到低电位梯度范围内的一系列电位梯度值。其制备方法可以使其烧结温度也得到大幅度的降低，较好地解决了低电位梯度压敏电阻材料低温烧结和低电位梯度两个相互制约的问题，为实现MLV陶瓷层压敏电阻材料与纯银电极的低温共烧提供了必要条件。
