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[00273479]一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310403361.6

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 南京邮电大学

进入空间

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法,属于纳米材料合成领域。该方法以CdTe量子点为原料,3-巯基丙酸作为稳定剂和硫源,以水为溶剂,将镉盐与3-巯基丙酸按一定比例制成溶液,微波加热反应,通过控制反应条件,即可得到具有不同CdS壳层厚度的CdTe/CdS核-壳型量子点。该方法反应条件温和,操作简便,反应时间短,可生长厚度可控的CdS壳层,制备所得核-壳量子点的发光波长范围连续可调,光稳定性强。
一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法,属于纳米材料合成领域。该方法以CdTe量子点为原料,3-巯基丙酸作为稳定剂和硫源,以水为溶剂,将镉盐与3-巯基丙酸按一定比例制成溶液,微波加热反应,通过控制反应条件,即可得到具有不同CdS壳层厚度的CdTe/CdS核-壳型量子点。该方法反应条件温和,操作简便,反应时间短,可生长厚度可控的CdS壳层,制备所得核-壳量子点的发光波长范围连续可调,光稳定性强。

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