[00274663]基于重构—等效啁啾的非对称结构的DFB半导体激光器及制备
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310146938.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提出了利用重构—等效啁啾（REC）的非对称结构的DFB半导体激光器，通过非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器；内置布拉格光栅是等效相移光栅，相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜（AR）或不镀膜但谐振腔波导呈弧形；相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧，相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1:P2)，相移光栅的等效相移为π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量。
本发明提出了利用重构—等效啁啾（REC）的非对称结构的DFB半导体激光器，通过非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器；内置布拉格光栅是等效相移光栅，相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜（AR）或不镀膜但谐振腔波导呈弧形；相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧，相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1:P2)，相移光栅的等效相移为π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量。
